台积电与NXP技术合作 布局Flash领域动作积极

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联手45奈米制程嵌入式非挥发技术研发 展现强烈企图心

台积电(2330)16日宣布,将于欧洲比利时微电子技术研究所(imec)及新竹研发总部,同步与恩智浦(nxp)展开45奈米制程嵌入式非挥发性技术合作,外界猜测,台积电与nxp联手主要锁定快闪记忆体(flash)先进制程研发,未来将大量应用于nxp主要消费及通讯产品内。晶圆厂指出,nxp总管制造业务的全球执行副总ajit manocha近日也将来台,预料也将拜会台积电。

台积电、nxp 16日的合作声明皆说得相当含蓄,nxp总裁兼执行长万豪敦表示,透过建立台积制程平台上的合作,例如系统单晶片的45奈米制程嵌入式非挥发性技术,此项努力将使nxp更专注于创新且与目前市场制程选择相区隔;台积电指出,双方合作将在智慧财产权、设计、模型分析、材料、和制程技术的研发和基础设施上发挥极大化的效能。

不过,外界似乎对台积电与nxp合作的45奈米制程嵌入式非挥发性技术兴趣更大,因为台积电长期以来与超捷半导体(sst)合作,2006年更宣布与spansion合作生产nor型flash,不仅8寸厂投产快闪记忆体,12寸厂90、65奈米制程也已投入;这次与nxp合作研发45奈米制程非挥发性技术,代表台积电对于内嵌式记忆体企图心相当强烈。

nxp目前在行动通讯、安全应用、免接触式付款以及车内娱乐等广泛电子设备提供半导体解决方案,是全球产业界中的领导者,近期更赢得多国安全晶片等标案,业者分析,台积电与nxp携手合作45奈米制程嵌入式非挥发性技术,将成为nxp未来嵌入式记忆体最大制造及供应商。

据了解,台积电内部布局嵌入式记忆体已相当长时间,在快闪记忆体方面,已经量产的内嵌式快闪记忆体包括0.5、0.35、0.25及0.18微米制程,预估2007年将迈入0.13微米制程;同时台积电也锁定汽车用嵌入式记忆体市场,预估2008年跨以0.18微米量产;此外,在消费性的智慧晶片方面,主要则采用0.22微米制程生产。

半导体人士指出,台积电这次与nxp的合作计画除在新竹,也在imec同步进行,目前imec是全球最重要的奈米制程研究中心之一,只有国际重量级业者才加入的会员组织。台积电于imec研发45奈米制程内嵌式记忆体,是相当具有发展潜力的布局动作。

来源:中国ic交易网

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